ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US1G R3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - US1G R3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - US1G R3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1G |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation US1G R3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US1G R3G | US1DFA | US1G-E3/61T | US1G-13-F |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 200 V | 400 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1G | US1D | US1 | US1G |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | SOD-123FA | DO-214AC (SMA) | SMA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | SOD-123W | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 950 mV @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US1G R3G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ US1G R3G - Taiwan Semiconductor Corporation
US1DFAonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA
US1G R3Taiwan Semiconductor
US1GHE3Electro-Films (EFI) / Vishay
US1D_R1PANJITUS1G-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACUS1G-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A SMAUS1DWG_R1PANJITUS1DWZT/RPANJITUS1G-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
US1DWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FUS1FFAonsemiDIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FAUS1G-E3VISHAYMAS
US1D_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 200V 1A SMAUS1G 2K/RUS1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACUS1G/61TElectro-Films (EFI) / VishayUS1GFAonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FLUS1G T/RPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที